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碳化硅涂层接地环 SiC Upper Ground Ring
碳化硅涂层接地环

碳化硅涂层接地环是通过化学气相沉积法制备,经过研磨、氧化、清洗等多道工序获得的纯固态多晶碳化硅产品,最大直径380mm,电阻率覆盖高、中、低阻,品质对齐国际一流水准。

主要应用等离子体刻蚀设备,位于反应腔上部,环绕晶圆承载台,是刻蚀系统的关键组件,具备较高的耐高温、抗腐蚀、高纯度特性,可进一步保障先进制程的工艺精度,是提升设备效率、降低生产成本的关键部件。

产品特点

  • 材料:CVD法制作SiC
  • 直径:Max380mm
  • 电阻均匀性:RRG < 5%
  • 电阻率:Low Res. (<0.5) Middle Res. (0.5~25) High Res. (>100)

工艺参数

  • 表面状态: 抛光 (Polished), Ra<0.1μm 精磨 (Ground), Ra < 1.6μm
  • 加工精度: ≤0.03mm
  • 质量检测: 电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)
    尺寸、电阻、外观目视(Chip,Scratch,Crack,Stain... Free)
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