碳化硅边缘环是通过化学气相沉积法制备，经过研磨、氧化、清洗等多道工序获得的纯固态多晶碳化硅产品，最大直径380mm，电阻率覆盖高、中、低阻，品质对齐国际一流水准。
主要应用于半导体快速热加工（RTP）工艺，以热均匀性、尺寸一致性为核心要求，具备超强抗热震、耐等离子体等关键能力，能保障晶圆制程良率与稳定性，满足先进半导体精密产线需求。
