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碳化硅电极 SiC Electrode
碳化硅电极

碳化硅电极是通过化学气相沉积法制备,经过研磨、氧化、清洗等多道工序获得的纯固态多晶碳化硅产品, 最大直径330mm,电阻率覆盖高、中、低阻,品质对齐国际一流水准。

主要应用于刻蚀设备,作为等离子体激发电极,提供稳定放电通道。具备高导电、耐极端环境、耐高温蚀、 低损耗等关键能力,可提升设备效率与稳定性,满足高功率、长周期稳定运行的产线需求。

产品特点

  • 材料:CVD法制作SiC
  • 直径:Max330mm
  • 电阻均匀性:RRG < 5%
  • 电阻率:Low Res. (<0.5) Middle Res. (0.5~25) High Res. (>100)

工艺参数

  • 孔洞: Diameter 0.2-0.8mm
  • 表面状态: 抛光(Polished), Ra<0.1μm 精磨(Ground), Ra<1.6μm
  • 加工精度: ≤0.03mm
  • 质量检测: 电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)、光学孔检
    尺寸、电阻、外观目视(Chip,Scratch,Crack,Stain... Free)
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