产品详情
碳化硅环 SiC Ring
碳化硅环

碳化硅环是通过化学气相沉积法制备,经过研磨、抛光、氧化、清洗等多道工序获得的纯固态多晶碳化硅产品,最大直径380mm,电阻率覆盖高、中、低阻,品质对齐国际一流水准。

主要应用于等离子体刻蚀、化学气相沉积(CVD)设备的反应腔部件,产品拥有高纯度及耐环境性能,能承受强酸强碱、等离子体侵蚀,无变形或降解。同时具有极高的结构稳定性,可通过耐磨耐蚀等特性进而延长设备运行寿命,满足对部件精度与洁净度要求极高的产线需求。

产品特点

  • 材料:CVD法制作SiC
  • 直径:Max380mm
  • 电阻均匀性:RRG < 5%
  • 电阻率:Low Res. (<0.5) Middle Res. (0.5~25) High Res. (>100)

工艺参数

  • 表面状态: 抛光(Polished), Ra<0.1μm 精磨(Ground), Ra < 1.6μm
  • 加工精度: ≤ 0.03mm
  • 质量检测: 电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)
    尺寸、电阻、外观目视(Chip,Scratch,Crack,Stain... Free)
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