产品详情
碳化硅挡片 SiC Dummy Wafer
碳化硅挡片

碳化硅挡片是通过化学气相沉积法制备,经过研磨、氧化、清洗等多道工序获得的纯固态多晶碳化硅产品,最大直径330mm,电阻率覆盖高、中、低阻,品质对齐国际一流水准。

作为晶圆替身,在新机台或维护后,可通过模拟真实工艺,使腔体温度、气流、射频功率等参数达到稳定状态,避免直接生产导致的批次性缺陷。通过其卓越的耐高温、抗腐蚀、高纯度特性,可大幅提升设备效率与工艺稳定性。

产品特点

  • 材料:CVD法制作SiC
  • 直径:Max330mm
  • 电阻均匀性:RRG < 5%
  • 电阻率:Low Res. (<0.5) Middle Res. (0.5~25) High Res. (>100)

工艺参数

  • 表面状态: 抛光(Polished), Ra<0.1μm 精磨(Ground), Ra < 1.6μm
  • 加工精度: ≤ 0.03mm
  • 质量检测: 电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)、光学孔检
    尺寸、电阻、外观目视(Chip,Scratch,Crack,Stain... Free)
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