硅曲面电极是通过MCZ直拉法制备,经过切割、研磨、打孔、抛光、清洗等多道工序获得的单晶硅产品,最大直径470mm,电阻率覆盖高、中、低阻,品质对齐国际一流水准。
主要应用于先进封装(TSV、WLCSP)及3D结构晶圆的刻蚀设备,拥有9N级以上的超高纯度,以及等离子体轰击与三维电场调控能力,可通过优化曲面区域的等离子体能量与分布影响3D结构蚀刻的深宽比、侧壁垂直度,满足先进封装制程及3D IC集成的产线需求。