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硅曲面电极 Si Curved Electrode
硅曲面电极

硅曲面电极是通过MCZ直拉法制备,经过切割、研磨、打孔、抛光、清洗等多道工序获得的单晶硅产品,最大直径470mm,电阻率覆盖高、中、低阻,品质对齐国际一流水准。

主要应用于先进封装(TSV、WLCSP)及3D结构晶圆的刻蚀设备,拥有9N级以上的超高纯度,以及等离子体轰击与三维电场调控能力,可通过优化曲面区域的等离子体能量与分布影响3D结构蚀刻的深宽比、侧壁垂直度,满足先进封装制程及3D IC集成的产线需求。

产品特点

  • 材料:MCZ直拉法单晶硅
  • 直径:Max 470mm
  • 电阻均匀性:RRG < 5%
  • 电阻率:Low Res. (< 0.02) / Middle Res. (1~4) / High Res. (70~90) 可定制

工艺参数

  • 孔径: Diameter 0.2-0.8mm
  • 表面状态: 抛光(Polished), Ra<0.1μm 精磨(Ground), Ra < 1.6μm
  • 加工精度: ≤ 0.03mm
  • 质量检测: 电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)、光学孔检
    尺寸、电阻、外观目视(Chip,Scratch,Crack,Stain... Free)
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