硅平面电极是通过MCZ直拉法制备，经过切割、研磨、打孔、抛光、清洗等多道工序获得的单晶硅产品，最大直径470mm，电阻率覆盖高、中、低阻，品质对齐国际一流水准。
主要应用于刻蚀设备，拥有9N级以上的超高纯度以及抗等离子体腐蚀能力，可通过孔洞形状影响晶圆蚀刻的速率均匀性与一致性，满足逻辑芯片、存储芯片等先进制程及高端射频器件的产线需求。
