多晶硅栅极环是通过定向凝固法制备，经过切割、研磨、抛光、清洗等多道工序获得的多晶硅产品， 最大直径570mm，电阻率覆盖高、中、低阻，品质对齐国际一流水准。
主要应用于刻蚀设备上电极系统，拥有6N级以上多晶硅纯度以及抗等离子体腐蚀能力， 可通过精准调控栅极电场与反应气体分布进而影响或蚀刻工艺的选择性与各向异性， 满足先进逻辑制程、3D NAND存储制程的产线需求。
