产品详情
多晶硅电极接地环 Poly Si Electrode Outer Ground Ring
多晶硅电极接地环

多晶硅电极接地环是通过定向凝固法制备,经过切割、研磨、抛光、清洗等多道工序获得的多晶硅产品,最大直径430mm,电阻率覆盖高、中、低阻,品质对齐国际一流水准。

主要应用于刻蚀设备上电极系统,用于电极的接地与防护,保障设备中电极系统稳定性,避免静电积聚与电弧损伤。产品可满足耐高温、耐腐蚀、高电学性能稳定性的严苛要求,拥有极高的电导率均匀性与抗热震能力,可通过稳定的接地性能影响刻蚀的均匀性,满足先进逻辑制程、3D NAND存储制程的产线需求。

产品特点

  • 材料:多晶硅
  • 直径:Max 430mm
  • 电阻均匀性:RRG < 5%
  • 电阻率:Low Res. (<0.02) Middle Res. (1~4) High Res. (70~90) 可定制

工艺参数

  • 表面状态: 抛光 (Polished), Ra<0.1μm 精磨 (Ground), Ra < 1.6μm
  • 加工精度: ≤ 0.03mm
  • 质量检测: 电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)
    尺寸、电阻、外观目视(Chip,Scratch,Crack,Stain... Free)
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